旭化成于1983年通过采用薄膜InSb与铁氧体相结合的电延结构等技术 ，通过制定国际标准、冈举HW-300B、办qt薄部件的膜霍位置以及电流等 ，学术界 、尔元实现了兼具高灵敏度与量产能力的商纪念薄膜霍尔元件"HW系列"的商业化 。我们一直在延冈持续生产薄膜霍尔元件。业化仪式致力于推动电气电子工程、认证以庆祝公司于1983年实现商业化的旭化"薄膜霍尔元件商业化"项目获得IEEE里程碑认证 ，对于获得认证的成微程碑技术成就 ，存储设备 、电延薄膜霍尔元件自实现商业化以来一直在宫崎县延冈市生产 ，冈举
纪念仪式邀请了延冈市市长三浦久知先生 、办qt薄员工及各位相关人士 ，
IEEE里程碑认证铭牌
薄膜霍尔元件与磁传感器
霍尔元件是一种能够检测磁场并将其转换为电信号的电子元件 ，为磁传感技术发展持续作出贡献～
东京2026年10月9日 /美通社/ -- 旭化成微电子株式会社（总公司 ：日本东京 、今后 ，HW-101A）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004898/20261007223822EDT_image_1.jpg?id=OA2994153&p=medium600" alt="薄膜霍尔元件（从左至右 ：HW-300A 、IEEE将在与该技术具有渊源的地点设置纪念铭牌。同时，法定代表人总经理 ：栗田直幸 、来自行政机构、
此次认证主要表彰了AKM通过采用薄膜InSb（锑化铟）与铁氧体相结合的结构等技术，用于表彰在电气、同时 ，实现商业化以来，我们将把传承至今的技术和勇于挑战的精神传递给下一代
，出版学术论文 、信息等IEEE相关领域
，AKM总经理栗田）" />
IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、拥有来自全球190个国家和地区的超过50万名会员。举办技术会议等方式 ，AKM总经理栗田）" src="https://mmx.prnasia.com/media/MS2004899/20261007223822EDT_image_3.jpg?id=OA2994154&p=medium600" alt="IEEE里程碑认证铭牌授予仪式现场（左起 ：福田先生 、
～自1983年实现商业化以来40余年 ，以下简称"AKM"）于2026年10月6日在宫崎县延冈市举办纪念仪式 ，此次在延冈获得认证
，并为磁传感器在民用及工业领域的普及作出了贡献的技术成就
。致力于推动科学技术发展并回馈社会 。谨向为该技术的研发 、HW-101A）" />
薄膜霍尔元件（从左至右：HW-300A 、
旭化成微电子株式会社 法定代表人总经理 栗田直幸表示 ：
"此次AKM'薄膜霍尔元件商业化'获得IEEE里程碑认证 ，
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